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一、指南方向與內(nèi)容

1. 新型電子材料與器件

1.1 第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用

1.1.1高質(zhì)量第三代半導(dǎo)體材料關(guān)鍵技術(shù)

開展第三代半導(dǎo)體材料大尺寸、低成本、高質(zhì)量襯底制備和外延技術(shù)研究，突破相關(guān)核心關(guān)鍵技術(shù)，滿足高溫、高頻、高效大功率器件研制的需求。

1.1.2第三代半導(dǎo)體器件制備及評價技術(shù)

開展第三代半導(dǎo)體芯片制備、器件封裝技術(shù)和工藝研究，開發(fā)低成本批量生產(chǎn)技術(shù)，研究材料和組件失效機(jī)理與壽命快速評價方法，滿足高效新型大功率電力電子、通信、光電等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。

1.2 新型存儲材料與器件

1.2.1新型超高密度存儲與磁電子材料

開展相變存儲器和磁隨機(jī)存儲器關(guān)鍵材料與器件研究，發(fā)展磁電子材料與器件技術(shù)。相變存儲器在移動互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域獲得應(yīng)用；磁隨機(jī)存儲器與磁電子材料關(guān)鍵技術(shù)實現(xiàn)突破。

2. 材料設(shè)計制備與安全服役

2.1 材料的設(shè)計、制備與表征

2.1.1材料高通量設(shè)計、制備與表征技術(shù)

研究材料高通量、多層次跨尺度一體化設(shè)計、高效制備和表征的新方法和新技術(shù)，開發(fā)面向材料設(shè)計的數(shù)據(jù)挖掘技術(shù)與數(shù)據(jù)平臺，實現(xiàn)材料成分、組織和性能的精確調(diào)控，在新型功能材料、高性能結(jié)構(gòu)材料的研究開發(fā)方面獲得實際應(yīng)用。

2.2 材料的安全服役和高效利用

2.2.1材料全壽命周期設(shè)計制備技術(shù)與服役行為

研究材料在各種復(fù)雜環(huán)境條件下的服役行為、失效機(jī)理及其壽命預(yù)測、評價和延壽技術(shù)，開發(fā)材料全壽命周期生態(tài)設(shè)計制備技術(shù)，實現(xiàn)材料的高效利用、低環(huán)境負(fù)荷與資源消耗。

3. 新型顯示

3.1 柔性及超高分辨率顯示

3.1.1柔性顯示技術(shù)

研究柔性顯示的基板材料、發(fā)光與顯示材料、薄膜封裝材料，突破器件設(shè)計、功能膜層制備等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)30英寸、彎曲半徑小于100mm的全彩色高畫質(zhì)柔性顯示屏，滿足顯示產(chǎn)業(yè)應(yīng)用需求。

3.1.2超高分辨率顯示關(guān)鍵技術(shù)

研發(fā)快速響應(yīng)顯示材料和高精細(xì)彩色濾光膜，突破TFT制備、多區(qū)域動態(tài)背光掃描、液晶透鏡等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)出8k×4k超高分辨率顯示面板，攻克整機(jī)集成技術(shù)并形成工程化能力。

4. 新型功能與智能材料

4.1 生物醫(yī)用材料

4.1.1新型生物醫(yī)用植入材料技術(shù)

開展新型輕質(zhì)高強(qiáng)可控降解植入材料、高性能假體用材料，以及適應(yīng)新型臨床治療技術(shù)發(fā)展的新一代骨和口腔修復(fù)材料研究，完成制品臨床前評價。

5. 先進(jìn)結(jié)構(gòu)與復(fù)合材料

5.1 高分子結(jié)構(gòu)材料

5.1.1新型高分子結(jié)構(gòu)及其復(fù)合材料

研發(fā)分子結(jié)構(gòu)可控的高強(qiáng)、高韌、高模、耐溫、耐磨、環(huán)境友好的高分子結(jié)構(gòu)與復(fù)合材料；突破薄膜和泡沫專用料及新型樹脂的制備技術(shù)，在相關(guān)領(lǐng)域獲得應(yīng)用。

二、指南申報要求

1.實施年限

項目實施年限原則上為3年。

2.申報說明

本指南申報方向均為前沿技術(shù)類。須按指南三級標(biāo)題（如：1.1.1）的研究方向進(jìn)行項目申報，可針對其中的部分研究內(nèi)容申報，每個項目的國撥經(jīng)費(fèi)控制額不超過1000萬元。

3.申報咨詢

聯(lián)系人：史冬梅、蔣志君

電 話：010-68338021、68338919